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Bipolarer Feldeffekt-Transistor

 

 Die Erfindung Bipolar Feldeffekt Transistor ist ein auf einigem Isolierbasis mit Planar-Schicht Technologie anzufertigender Feldsteuertransistor, der abweichend von den monopolaren Transistoren zu Erfüllung von Feldsteueraugaufgaben auch in den traditionellen bipolaren Systemen geeignet ist. Die Bipolar Feldeffekt Transistor, im weiteren BFT, kann in zwei Phasen inbetriebgehalten werden. In der ersten Phase ist der maximale Eingangswiderstand etwa 10 MegaOhm, und in der zweiten Phase etwa 1 GigaOhm. Da der BFT dem monopolaren Transistoren gegenüber seinen bipolaren Charakter unverändert enthält, vereinigt er die Vorteile sowohl der monopolaren, als auch der bipolaren Transistoren in sich. Da die dissipationsleistung des BFT während der Produktion beliebig gesteigert werden kann, eignet sich diese Technologie ohne Schwierigkeiten auch zur Herstellung von spannungsteuerten, bipolaren Elementen von hoher Leistung. Der BFT ist auch zu digitaltechnischen Zwecken vorteilhaft verwendbar, zum Dauerspeicherverfahren von Digitalinformationen, und zur mehrmaligen Abtastung der Information ohne Löschungen geeignet.

 

        KUN Ákos

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